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分离式半导体产品 PHT8N06LT,135品牌、价格、PDF参数

PHT8N06LT,135 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
PHT8N06LT,135 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 55V 7.5A SOT223 0 4,000:$0.28600
8,000:$0.26600
12,000:$0.25600
28,000:$0.24600
100,000:$0.23600
PHT8N06LT,135 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 80 毫欧 @ 5A，5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 2V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 11.2nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 650pF @ 25V
功率 - 最大: 1.8W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA
供应商设备封装: SC-73
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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