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分离式半导体产品 SI8441DB-T2-E1品牌、价格、PDF参数

SI8441DB-T2-E1 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI8441DB-T2-E1 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 10.5A 2X2 6MFP 0 3,000:$0.56000
SI8441DB-T2-E1 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 10.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 80 毫欧 @ 1A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 700mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 13nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 600pF @ 10V
功率 - 最大: 13W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-MICRO FOOT?
供应商设备封装: 6-Micro Foot?
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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