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分离式半导体产品 SIS890DN-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SIS890DN-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SIS890DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V D-S 1212-8 0 1:$1.54000
25:$1.21520
100:$1.09350
250:$0.95176
500:$0.85050
1,000:$0.66825
SIS890DN-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 30A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 23.5 毫欧 @ 10A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 802pF @ 50V
功率 - 最大: 52W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: PowerPAK? 1212-8
供应商设备封装: PowerPAK? 1212-8
包装: 剪切带 (CT)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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