分离式半导体产品 SIR880ADP-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SIR880ADP-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SIR880ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 80V D-S PPAK 8SOIC 0 3,000:$0.81000
6,000:$0.78000
15,000:$0.75000
30,000:$0.73500
75,000:$0.72000
SIRA10DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 30A SO-8 31 1:$1.14000
25:$0.90000
100:$0.81000
250:$0.70500
500:$0.63000
1,000:$0.49500
SIRA10DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 30A SO-8 0 3,000:$0.42000
6,000:$0.39900
15,000:$0.38250
30,000:$0.37200
75,000:$0.36000
SIR880ADP-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 80V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 60A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 6.3 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 72nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2289pF @ 40V
功率 - 最大: 83W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: PowerPAK? SO-8
供应商设备封装: PowerPAK? SO-8
包装: 带卷 (TR)