型号
分离式半导体产品 SIS430DN-T1-GE3品牌、价格、PDF参数
SIS430DN-T1-GE3
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
SIS430DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH D-S 25V PPAK 1212-8
180
1:$1.18000
25:$0.93000
100:$0.83700
250:$0.72852
500:$0.65100
1,000:$0.51150
SIS430DN-T1-GE3
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:
标准
漏极至源极电压(Vdss):
25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
35A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
5.1 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
40nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
1600pF @ 12.5V
功率 - 最大:
52W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
PowerPAK 1212-8
供应商设备封装:
PowerPAK? 1212-8
包装:
剪切带 (CT)
电子产品资料
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