型号
分离式半导体产品 SIR788DP-T1-GE3品牌、价格、PDF参数
SIR788DP-T1-GE3
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
SIR788DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A SO-8
82
1:$1.29000
25:$1.02000
100:$0.91800
250:$0.79900
500:$0.71400
1,000:$0.56100
SIR788DP-T1-GE3
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物!
FET 特点:
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
60A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
3.4 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
75nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
2873pF @ 15V
功率 - 最大:
48W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装:
PowerPAK? SO-8
包装:
Digi-Reel®
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