型号

分离式半导体产品 SI4642DY-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI4642DY-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI4642DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 34A 8-SOIC 0 2,500:$0.50260
SIHD5N50D-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK 25 1:$1.36000
25:$1.07480
100:$0.96710
250:$0.84176
500:$0.75222
1,000:$0.59103
SI4642DY-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 34A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 3.75 毫欧 @ 20A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 3V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 5540pF @ 15V
功率 - 最大: 7.8W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
买卖IC网 版权所有©2006-2020