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分离式半导体产品 SIHD5N50D-GE3品牌、价格、PDF参数

SIHD5N50D-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SIHD5N50D-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK 25 1:$1.36000
25:$1.07480
100:$0.96710
250:$0.84176
500:$0.75222
1,000:$0.59103
SIHD5N50D-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 5.3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 1.5 欧姆 @ 2.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 325pF @ 100V
功率 - 最大: 104W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装: TO-252AA
包装: 剪切带 (CT)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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