分离式半导体产品 SIE878DF-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SIE878DF-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SIE878DF-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 25V POLARPAK 0 3,000:$0.69525
6,000:$0.66950
15,000:$0.64375
30,000:$0.63088
75,000:$0.61800
SQR50N03-06P-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V TO263 0 2,000:$0.67760
IRL510SPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK 0 1,000:$0.67350
SI7454CDP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 8-SOIC 5,534 1:$1.82000
25:$1.44000
100:$1.29600
250:$1.12800
500:$1.00800
1,000:$0.79200
SIE878DF-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 45A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 5.2 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1400pF @ 12.5V
功率 - 最大: 25W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 10-PolarPAK?(L)
供应商设备封装: 10-PolarPAK?(L)
包装: 带卷 (TR)