分离式半导体产品 SI4186DY-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI4186DY-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI4186DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SOIC 0 2,500:$0.49000
IRLR120TRLPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK 0 3,000:$0.48720
SIR788DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 60A SO-8 0 3,000:$0.47600
6,000:$0.45220
15,000:$0.43350
30,000:$0.42160
75,000:$0.40800
SIS476DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8 PWR 0 1:$1.29000
25:$1.02000
100:$0.91800
250:$0.79900
500:$0.71400
1,000:$0.56100
SIS476DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8 PWR 0 3,000:$0.47600
6,000:$0.45220
15,000:$0.43350
30,000:$0.42160
75,000:$0.40800
SI4186DY-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 35.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 2.6 毫欧 @ 15A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3630pF @ 10V
功率 - 最大: 6W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 带卷 (TR)