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分离式半导体产品 SIA418DJ-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SIA418DJ-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SIA418DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6 0 1:$0.50000
25:$0.34640
100:$0.29700
250:$0.25652
500:$0.22050
1,000:$0.17100
IRLZ14STRLPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK 0 800:$0.77854
SI7148DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 75V PPAK 8SOIC 0 3,000:$0.79110
SIA418DJ-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 12A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 18 毫欧 @ 9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 2.4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 570pF @ 15V
功率 - 最大: 19W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: PowerPAK? SC-70-6
供应商设备封装: PowerPAK? SC-70-6 单
包装: 剪切带 (CT)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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