型号

分离式半导体产品 SI3467DV-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI3467DV-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI3467DV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-TSOP 0 3,000:$0.18445
SI3455ADV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 2.7A 6TSOP 0 3,000:$0.18445
SI3467DV-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3.8A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 54 毫欧 @ 5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: 1.14W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）
供应商设备封装: 6-TSOP
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
买卖IC网 版权所有©2006-2020