型号
分离式半导体产品 IRFBE30STRLPBF品牌、价格、PDF参数
IRFBE30STRLPBF
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
IRFBE30STRLPBF
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
0
800:$1.92750
SIE726DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK
0
1:$4.29000
25:$3.50360
100:$3.14600
250:$2.86000
500:$2.50250
1,000:$2.14500
IRFBE30STRLPBF
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:
标准
漏极至源极电压(Vdss):
800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
4.1A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
3 欧姆 @ 2.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
78nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
1300pF @ 25V
功率 - 最大:
125W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:
D2PAK
包装:
带卷 (TR)
电子产品资料
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