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分离式半导体产品 FDC2612_F095品牌、价格、PDF参数

FDC2612_F095 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
FDC2612_F095 Fairchild Semiconductor MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-SSOT 0
FDC2512_F095 Fairchild Semiconductor MOSFET N-CH 150V 1.4A 6-SSOT 0
FDC2612_F095 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 1.1A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 725 毫欧 @ 1.1A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 234pF @ 100V
功率 - 最大: 800mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商设备封装: 6-SSOT
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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