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分离式半导体产品 SI4448DY-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI4448DY-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI4448DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC 0 2,500:$1.51620
SIE816DF-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 60V POLARPAK 0 3,000:$1.90190
SIE808DF-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 20V POLARPAK 0 3,000:$1.90190
SIE806DF-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK 0 3,000:$1.90190
SI4448DY-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 50A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 1.7 毫欧 @ 20A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 150nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 12350pF @ 6V
功率 - 最大: 7.8W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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