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分离式半导体产品 SIR882ADP-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SIR882ADP-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SIR882ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 60A POWERPAK 0 1:$2.84000
25:$2.18720
100:$1.98450
250:$1.78200
500:$1.53900
1,000:$1.29600
SIR882ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 60A POWERPAK 0 3,000:$1.09350
6,000:$1.05300
15,000:$1.01250
30,000:$0.99225
75,000:$0.97200
SIE882DF-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 25V POLARPAK 0 3,000:$1.09350
IRL640STRRPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK 0 800:$1.09305
SIR882ADP-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 60A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 8.7 毫欧 @ 20A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 2.8V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1975pF @ 50V
功率 - 最大: 83W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: PowerPAK? SO-8
供应商设备封装: PowerPAK? SO-8
包装: 剪切带 (CT)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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