型号
分离式半导体产品 SIE882DF-T1-GE3品牌、价格、PDF参数
SIE882DF-T1-GE3
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
SIE882DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH D-S 25V POLARPAK
0
3,000:$1.09350
IRL640STRRPBF
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
0
800:$1.09305
SIE882DF-T1-GE3
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:
标准
漏极至源极电压(Vdss):
25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
60A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
1.4 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
2.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
145nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
6400pF @ 12.5V
功率 - 最大:
125W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
10-PolarPAK?(L)
供应商设备封装:
10-PolarPAK?(L)
包装:
带卷 (TR)
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