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分离式半导体产品 SQ4401DY-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SQ4401DY-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SQ4401DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 15.8A 8SOIC 0 2,500:$1.24605
IRF730STRRPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK 0 800:$1.21118
SQ4401DY-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 15.8A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 14 毫欧 @ 10.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 115nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 4250pF @ 20V
功率 - 最大: 6W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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