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分离式半导体产品 SIE800DF-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SIE800DF-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SIE800DF-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK 0 3,000:$1.16100
SI7390DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC 0 3,000:$1.16100
SIHU3N50D-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK 50 1:$0.98000
25:$0.77760
100:$0.69980
250:$0.60912
500:$0.54432
1,000:$0.42768
SIE800DF-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 50A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 7.2 毫欧 @ 11A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1600pF @ 15V
功率 - 最大: 104W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 10-PolarPAK?（S）
供应商设备封装: 10-PolarPAK?（S）
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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