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分离式半导体产品 SPB35N10T品牌、价格、PDF参数

SPB35N10T • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SPB35N10T Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK 0
SPB35N10T • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 35A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 44 毫欧 @ 26.4A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 83µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1570pF @ 25V
功率 - 最大: 150W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装: P-TO263-3
包装: 带卷 (TR)
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