型号

分离式半导体产品 IPB14N03LAT品牌、价格、PDF参数

IPB14N03LAT • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IPB14N03LAT Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK 0
IPB09N03LAT Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK 0
BSC059N03ST Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8 0
BSC042N03ST Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8 0
SPB80N03S2L05T Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK 0
IPB14N03LAT • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 30A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 13.6 毫欧 @ 30A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 2V @ 20µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 8.3nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1043pF @ 15V
功率 - 最大: 46W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装: PG-TO263-3
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
买卖IC网 版权所有©2006-2020