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分离式半导体产品 IXFT18N100Q3品牌、价格、PDF参数

IXFT18N100Q3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IXFT18N100Q3 IXYS MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268 10 1:$15.75000
10:$14.32000
100:$12.17200
250:$11.09800
500:$10.38200
1,000:$9.52280
2,500:$9.12900
5,000:$8.87840
10,000:$8.59200
IXFR32N100P IXYS MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247 0 30:$15.63267
IXFT18N100Q3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 1000V（1kV）
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 18A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 660 毫欧 @ 9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 6.5V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 4890pF @ 25V
功率 - 最大: 830W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
供应商设备封装: TO-268
包装: 管件
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