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分离式半导体产品 IXTH3N100P品牌、价格、PDF参数

IXTH3N100P • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IXTH3N100P IXYS MOSFET N-CH 1000V 3A TO-247 0 150:$3.23900
IXTH72N20T IXYS MOSFET N-CH 200V 72A TO-247 0 150:$3.19800
IXTH62N25T IXYS MOSFET N-CH 250V 62A TO-247 0 150:$3.19800
IXTP44N25T IXYS MOSFET N-CH 250V 44A TO-220 0 200:$2.07050
IXTH3N100P • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 1000V（1kV）
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 4.8 欧姆 @ 1.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 39nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1100pF @ 25V
功率 - 最大: 125W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商设备封装: TO-247
包装: 管件
电脑版（www.mmic.net.cn）
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