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分离式半导体产品 IXT-1-1N100S1-TR品牌、价格、PDF参数

IXT-1-1N100S1-TR • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IXT-1-1N100S1-TR IXYS MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC 0 2,500:$6.87200
IXT-1-1N100S1-TR • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 1000V（1kV）
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 1.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: -
Id 时的 Vgs(th)（最大）: -
闸电荷(Qg) @ Vgs: -
输入电容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: -
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC
供应商设备封装: 8-SOIC
包装: 带卷 (TR)
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