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分离式半导体产品 NVR1P02T1G品牌、价格、PDF参数

NVR1P02T1G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
NVR1P02T1G ON Semiconductor MOSFET N-CH 20V 1A SOT-23-3 0 12,000:$0.06560
NVR1P02T1G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 1A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 180 毫欧 @ 1.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 2.3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 165pF @ 5V
功率 - 最大: 400mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23-3
包装: 带卷 (TR)
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