型号
分离式半导体产品 IPD30N03S2L-07品牌、价格、PDF参数
IPD30N03S2L-07
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
IPD30N03S2L-07
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
0
2,500:$0.35322
IPD30N03S2L-07
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
30A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
6.7 毫欧 @ 30A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
2V @ 85µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
68nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
1900pF @ 25V
功率 - 最大:
136W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:
PG-TO252-3
包装:
带卷 (TR)
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