分离式半导体产品 IPD50R950CE品牌、价格、PDF参数

IPD50R950CE • 品牌、价格

元器件型号	厂商	描述	数量	价格
IPD50R950CE	Infineon Technologies	MOSF 500V 4.3A PG-TO252	0	2,500:$0.50540 5,000:$0.48013 12,500:$0.46028 25,000:$0.44764 62,500:$0.43320
BSP129 L6327	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223	0	2,000:$0.33307
SPD09P06PL G	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3	0	2,500:$0.32944

IPD50R950CE • PDF参数

类别:	分离式半导体产品
FET 型:	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点:	标准
漏极至源极电压(Vdss):	500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:	4.3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:	950 毫欧 @ 1.2A，13V
Id 时的 Vgs(th)（最大）:	3.5V @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:	10.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:	231pF @ 100V
功率 - 最大:	34W
安装类型:	表面贴装
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装:	PG-TO252-3
包装:	带卷 (TR)

电子产品资料

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