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分离式半导体产品 TK65E10N1,S1X品牌、价格、PDF参数

TK65E10N1,S1X • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
TK65E10N1,S1X Toshiba MOSFET N CH 100V 148A TO220 0 1:$3.36000
10:$3.00000
25:$2.70000
100:$2.46000
250:$2.22000
500:$1.99200
1,000:$1.68000
2,500:$1.59600
5,000:$1.53000
TK65E10N1,S1X • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 148A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 4.8 毫欧 @ 32.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 81nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 5400pF @ 50V
功率 - 最大: 192W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: TO-220
包装: 管件
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