分离式半导体产品 IPB108N15N3 G品牌、价格、PDF参数

IPB108N15N3 G • 品牌、价格

元器件型号	厂商	描述	数量	价格
IPB108N15N3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 150V 83A TO263-3	0	1:$4.80000 10:$4.31600 25:$3.91640 100:$3.51670 250:$3.19700 500:$2.79738
IPB108N15N3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 150V 83A TO263-3	0	1,000:$2.23790 2,000:$2.12601 5,000:$2.03809 10,000:$1.98214 25,000:$1.91820

IPB108N15N3 G • PDF参数

类别:	分离式半导体产品
FET 型:	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点:	标准
漏极至源极电压(Vdss):	150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:	83A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:	10.8 毫欧 @ 83A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）:	4V @ 160µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:	55nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:	3230pF @ 75V
功率 - 最大:	214W
安装类型:	表面贴装
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装:	PG-TO263-2
包装:	剪切带 (CT)

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