型号
分离式半导体产品 IPI65R190CFD品牌、价格、PDF参数
IPI65R190CFD
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
IPI65R190CFD
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262
0
10,000:$2.37074
IPP80N04S4-03
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3-1
0
1,000:$0.72015
IPI65R190CFD
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:
标准
漏极至源极电压(Vdss):
650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
17.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
190 毫欧 @ 7.3A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
4.5V @ 730µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
68nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
1850pF @ 100V
功率 - 最大:
151W
安装类型:
通孔
封装/外壳:
TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装:
PG-TO262-3
包装:
管件
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