型号
分离式半导体产品 SI7664DP-T1-E3品牌、价格、PDF参数
SI7664DP-T1-E3
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
SI7664DP-T1-E3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
0
SI7664DP-T1-E3
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:
标准
漏极至源极电压(Vdss):
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
40A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
3.1 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
1.8V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
125nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
7770pF @ 15V
功率 - 最大:
83W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装:
PowerPAK? SO-8
包装:
带卷 (TR)
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