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分离式半导体产品 BSZ100N06LS3 G品牌、价格、PDF参数

BSZ100N06LS3 G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
BSZ100N06LS3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 0 1:$1.19000
10:$1.06700
25:$0.94160
100:$0.84730
250:$0.73744
500:$0.65898
1,000:$0.51777
2,500:$0.48639
BSZ100N06LS3 G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 20A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 10 毫欧 @ 20A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 2.2V @ 23µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3500pF @ 30V
功率 - 最大: 50W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PowerVDFN
供应商设备封装: PG-TSDSON-8（3.3x3.3）
包装: Digi-Reel®
电脑版（www.mmic.net.cn）
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