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分离式半导体产品 IPB042N10N3 G品牌、价格、PDF参数

IPB042N10N3 G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IPB042N10N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 0 1:$3.66000
10:$3.29200
25:$2.98680
100:$2.68200
250:$2.43820
500:$2.13342
IPB042N10N3 G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 100A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 4.2 毫欧 @ 50A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 3.5V @ 150µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 117nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 8410pF @ 50V
功率 - 最大: 214W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装: PG-TO263-3
包装: 剪切带 (CT)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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