分离式半导体产品 SI7664DP-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI7664DP-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI7664DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC 0
SI7886ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC 0
SIHB22N60S-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK 0
SUM90N08-7M6P-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 75V D2PAK 0
SUP18N15-95-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 150V 18A TO220-3 0
SUP60N02-4M5P-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 20V TO220AB 0
SUV85N10-10-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB 0
SI7664DP-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 40A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 3.1 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.8V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 125nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 7770pF @ 15V
功率 - 最大: 83W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: PowerPAK? SO-8
供应商设备封装: PowerPAK? SO-8
包装: 带卷 (TR)