分离式半导体产品 PSMN008-75P,127品牌、价格、PDF参数

PSMN008-75P,127 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
PSMN008-75P,127 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB 0
PH9930L,115 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 30V 63A LFPAK 0
PH4025L,115 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 25V 99A LFPAK 0
PHB146NQ06LT,118 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK 0
PH1955L,115 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 55V 40A LFPAK 0
PH1955L,115 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 55V 40A LFPAK 0
PH1955L,115 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 55V 40A LFPAK 0
PHB222NQ04LT,118 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK 0
PHB222NQ04LT,118 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK 0
PHB101NQ04T,118 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK 0
PH5330E,115 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 30V 80A LFPAK 0
PH5330E,115 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 30V 80A LFPAK 0
PSMN008-75P,127 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 75V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 75A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 8.5 毫欧 @ 25A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 122.8nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 5260pF @ 25V
功率 - 最大: 230W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: TO-220AB
包装: 管件