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分离式半导体产品 IRFBE20STRR品牌、价格、PDF参数

IRFBE20STRR • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IRFBE20STRR Vishay Siliconix MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK 0 800:$1.16550
IRFBE20STRL Vishay Siliconix MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK 0 800:$1.16550
IRFBC40LCSTRR Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK 0 800:$2.50500
IRFBC40LCSTRL Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK 0 800:$2.50500
IRFBE20STRR • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 1.8A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 6.5 欧姆 @ 1.1A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 530pF @ 25V
功率 - 最大: 54W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 带卷 (TR)
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