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分离式半导体产品 SIB412DK-T1-E3品牌、价格、PDF参数

SIB412DK-T1-E3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SIB412DK-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6 0
SI5484DU-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET 0
SI5485DU-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET 0
SIB412DK-T1-E3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 9A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 34 毫欧 @ 6.6A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 10.16nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 535pF @ 10V
功率 - 最大: 13W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: PowerPAK? SC-75-6L
供应商设备封装: PowerPAK? SC-75-6L 单
包装: 剪切带 (CT)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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