型号
分离式半导体产品 SIA810DJ-T1-E3品牌、价格、PDF参数
SIA810DJ-T1-E3
• 品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
SIA810DJ-T1-E3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6
0
IRC530PBF
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 14A TO-220-5
0
SIB412DK-T1-E3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6
0
SIB412DK-T1-E3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6
0
SIA810DJ-T1-E3
• PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点:
二极管（隔离式）
漏极至源极电压(Vdss):
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
4.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:
53 毫欧 @ 3.7A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）:
1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
11.5nC @ 8V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
400pF @ 10V
功率 - 最大:
6.5W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
PowerPAK? SC-70-6 双
供应商设备封装:
PowerPAK? SC-70-6 双
包装:
Digi-Reel®
电子产品资料
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