分离式半导体产品 SI5858DU-T1-E3品牌、价格、PDF参数

SI5858DU-T1-E3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI5858DU-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET 0
SI5858DU-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET 0
IRFU4105ZTR Vishay Siliconix MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK 0 2,000:$0.54040
IRFU4105ZTRL Vishay Siliconix MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK 0 3,000:$0.54040
IRFU4105ZTRR Vishay Siliconix MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK 0 3,000:$0.54040
SIA443DJ-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6 0
SIA810DJ-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6 0
SIA810DJ-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6 0
SIA810DJ-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6 0
IRC530PBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 14A TO-220-5 0
SIB412DK-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6 0
SIB412DK-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6 0
SI5858DU-T1-E3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 二极管(隔离式)
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 39 毫欧 @ 4.4A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 16nC @ 8V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 520pF @ 10V
功率 - 最大: 8.3W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: PowerPAK? CHIPFET? 双
供应商设备封装: PowerPAK? ChipFet 双
包装: 剪切带 (CT)