分离式半导体产品 NSVMUN5132T1G品牌、价格、PDF参数

NSVMUN5132T1G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
NSVMUN5132T1G ON Semiconductor TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT-323 0 6,000:$0.09889
NSVMMUN2232LT1G ON Semiconductor TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23 0 9,000:$0.08602
NSVMMUN2132LT1G ON Semiconductor TRANS BRT PNP 50V SOT-23 0 9,000:$0.08602
NSVMUN2233T1G ON Semiconductor TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59 0 9,000:$0.07920
NSVMUN5132T1G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧): 4.7k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧): 4.7k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): 15 @ 5mA,10V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大): 250mV @ 1mA,10mA
电流 - 集电极截止(最大): 50nA
频率 - 转换: -
功率 - 最大: 202mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-70,SOT-323
供应商设备封装: SC-70-3
包装: 带卷 (TR)