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分离式半导体产品 NSVMMUN2132LT1G品牌、价格、PDF参数

NSVMMUN2132LT1G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
NSVMMUN2132LT1G ON Semiconductor TRANS BRT PNP 50V SOT-23 0 9,000:$0.08602
NSVMUN2233T1G ON Semiconductor TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59 0 9,000:$0.07920
NSVMMUN2132LT1G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
电流 - 集电极 (Ic)（最大）: 100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）: 50V
电阻器 - 基极 (R1)（欧）: 4.7k
电阻器 - 发射极 (R2)（欧）: 4.7k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): 15 @ 5mA，10V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）: 250mV @ 1mA，10mA
电流 - 集电极截止（最大）: 50nA
频率 - 转换: *
功率 - 最大: 246mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23-3
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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