分离式半导体产品 BCR 48PN E6433品牌、价格、PDF参数

BCR 48PN E6433 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
BCR 48PN E6433 Infineon Technologies TRANSISTOR ARRAY NPN/PNP SOT-363 0
BCR 48PN E6327 Infineon Technologies TRANSISTOR ARRAY NPN/PNP SOT-363 0
BCR 35PN E6433 Infineon Technologies TRANSISTOR ARRAY NPN/PNP SOT-363 0
BCR 35PN E6327 Infineon Technologies TRANSISTOR ARRAY NPN/PNP SOT-363 0
BCR 22PN E6433 Infineon Technologies TRANSISTOR ARRAY NPN/PNP SOT-363 0
BCR 22PN E6327 Infineon Technologies TRANSISTOR ARRAY NPN/PNP SOT-363 0
BCR 198S E6327 Infineon Technologies TRANSISTOR PNP DGTL AF SOT-363 0
BCR 185S E6327 Infineon Technologies TRANSISTOR PNP DGTL AF SOT-363 0
BCR 185S B6327 Infineon Technologies TRANSISTOR PNP DGTL AF SOT-363 0
BCR 183S E6433 Infineon Technologies TRANSISTOR PNP DGTL AF SOT-363 0
BCR 183S E6327 Infineon Technologies TRANSISTOR PNP DGTL AF SOT-363 0
BCR 169S E6327 Infineon Technologies TRANSISTOR PNP DGTL AF SOT-363 0
BCR 148S E6433 Infineon Technologies TRANSISTOR NPN DGTL AF SOT-363 0
BCR 148S E6327 Infineon Technologies TRANSISTOR NPN DGTL AF SOT-363 0
BCR 141S E6327 Infineon Technologies TRANSISTOR NPN DGTL AF SOT-363 0
BCR 133S E6433 Infineon Technologies TRANSISTOR NPN DGTL AF SOT-363 0
BCR 133S E6327 Infineon Technologies TRANSISTOR NPN DGTL AF SOT-363 0
BCR 133S B6327 Infineon Technologies TRANSISTOR NPN DGTL AF SOT-363 0
BCR 129S E6327 Infineon Technologies TRANSISTOR NPN DGTL AF SOT-363 0
BCR 119S E6433 Infineon Technologies TRANSISTOR NPN DGTL AF SOT-363 0
BCR 119S E6327 Infineon Technologies TRANSISTOR NPN DGTL AF SOT-363 0
BCR 116S E6327 Infineon Technologies TRANSISTOR NPN DGTL AF SOT-363 0
BCR 10PN B6327 Infineon Technologies TRANSISTOR ARRAY DGTL AF SOT-363 0
BCR 108S E6433 Infineon Technologies TRANSISTOR NPN DGTL SOT-363 0
BCR 108S E6327 Infineon Technologies TRANSISTOR NPN DGTL SOT-363 0
BCR 08PN B6327 Infineon Technologies TRANSISTOR ARRAY NPN/PNP SOT-363 0
BCR 48PN E6433 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 70mA,100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧): 47k,2.2k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧): 47k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): 70 @ 5mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大): 300mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大): -
频率 - 转换: 100MHz,200MHz
功率 - 最大: 250mW
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装: PG-SOT363-6
包装: 带卷 (TR)