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分离式半导体产品 BCR 108S E6433品牌、价格、PDF参数

BCR 108S E6433 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
BCR 108S E6433 Infineon Technologies TRANSISTOR NPN DGTL SOT-363 0
BCR 108S E6327 Infineon Technologies TRANSISTOR NPN DGTL SOT-363 0
BCR 08PN B6327 Infineon Technologies TRANSISTOR ARRAY NPN/PNP SOT-363 0
BCR 108S E6433 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
电流 - 集电极 (Ic)（最大）: 100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）: 50V
电阻器 - 基极 (R1)（欧）: 2.2k
电阻器 - 发射极 (R2)（欧）: 47k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): 70 @ 5mA，5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）: 300mV @ 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大）: -
频率 - 转换: 170MHz
功率 - 最大: 250mW
封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商设备封装: PG-SOT363-6
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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