NTMS5835NL参数：
生产商： onsemiconductor rohs： rds（on）测试电压vgs： 4.5v 晶体管极性： nchannel 连续漏电流id： 9.2a 功耗pd： 1.5w 晶体管案例风格： soic 工作温度范围： -55 导通电阻rds（上）： 0.0103ohm 漏源电压vds： 40v svhc物质： nosvhc(20-jun-2011) 阈值电压vgs典型： 1.85v 引脚号： 8
