NTMFS5832NLT1G图片：
NTMFS5832NLT1G参数：
生产商：
onsemiconductor
rohs：
rds（on）测试电压vgs：
10v
晶体管极性：
nchannel
连续漏电流id：
20a
功耗pd：
3.1w
晶体管案例风格：
dfn
工作温度范围：
-55
导通电阻rds（上）：
0.0042ohm
漏源电压vds：
40v
svhc物质：
nosvhc(20-jun-2011)
引脚号：
5
适用范围：
半导体
分离式半导体
晶体管通用
mosfet功率
半导体
晶体管
晶体管通用
mosfetpower