STD4N80K5代理

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:符合RoHS 详细信息

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:800 V

Vgs-栅源极击穿电压 :30 V

Id-连续漏极电流:3 A

Rds On-漏源导通电阻:2.1 Ohms

配置:Single

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Qg-栅极电荷:10.5 nC

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:60 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DPAK-2

封装:Reel

商标:STMicroelectronics

通道模式:Enhancement

下降时间:21 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:15 ns

系列:STD4N80K5

工厂包装数量:2500

商标名:SuperMesh

典型关闭延迟时间:36 ns