H5MS2G22MFR-J3M存储器参数

H5MS2G22MFR-J3M存储器是现代电子设备中广泛应用的一种动态随机存取存储器（DRAM），作为存储器的重要组成部分，它在计算机、移动设备及其他智能电子产品中发挥着至关重要的作用。毫无疑问，了解其参数及功能特性对于深入研究该存储器的应用及其在整个系统中的表现是尤为重要的。

首先，H5MS2G22MFR-J3M存储器的基本参数值得关注。该存储器采用的是DDR2 SDRAM（双倍数据速率同步动态随机存取存储器）技术，具有出色的数据处理能力。其容量为2GB，适合各种对存储要求有所不同的应用场景。DDR2的设计相较于其前代技术DDR具有更高的效能，因其数据传输速率在达到533MT/s（百万次传输每秒）的同时能够有效降低功耗，这使得H5MS2G22MFR-J3M在移动设备和便携计算机中得以广泛应用。

接下来的参数涉及到存储器的物理特性。H5MS2G22MFR-J3M整体封装采用了FBGA（Fine Ball Grid Array）封装技术，这一封装技术使得存储器的引脚排布更为紧凑，提高了布板的集成度。FBGA封装在小型化的设备中特别受到青睐，因为它不仅能够有效地减少占用的空间，还提高了电气连接的可靠性和性能。H5MS2G22MFR-J3M的引脚间距较小，使得在设计多层电路板时具备一定的灵活性。

关于时序参数，H5MS2G22MFR-J3M提供了相对宽松的时序选择，包括CL（CAS Latency）值。CL值影响着存储器的速度与访问时间，在H5MS2G22MFR-J3M中，常见的CL值范围为3到5，这意味着在执行存取操作时，存取延迟时间在指定的值上下波动。除此之外，存储器的时钟频率通常是200MHz或更高，进一步增强了其在高速运算环境中的适应性。