此芯片为8～12GHz 幅相多功能芯片：XZ1002-BD，
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关键技术指标及应用 功能框图
频率范围：8～12GHz
接收增益：11dB
发射小信号增益：16 dB
发射增益平坦度: ±0.8dB
接收输入 P-1：≥-1dBm
发射输出 P-1：23dBm
噪声系数 NF: ≤5 dB
移相步进：5.625°
移相位数：6 位
移相精度 RMS：1.6°
移相寄生调幅：±0.6dB
衰减步进：0.5dB
衰减位数：6 位
衰减精度 RMS：0.3dB
衰减寄生调相：±4°
发射输入驻波：1.5：1
发射输出驻波：1.6：1
接收输入输出驻波：1.5：1
负载态收发隔离度: ≥50dB
发射非线性相位误差: ≤15°
接收非线性相位误差: ≤10°
接收可调衰减量: 0.5 dB,1 dB,1.5 dB
工作电压： VDR=5V，VDT=5V，VD=5V，VEE=-5V，TRR=5V/0V，TRT=0V/5V
控制方式：串口控制
工作电流：20mA（VDR 端）/140 mA（VDT 端）/65mA（VD 端）/16 mA（VEE 端）
外形尺寸：4.4 mm×5.0 mm ×0.08mm
芯片是一款集成了移相、衰减、放大、开关、串行驱动等功能的多功能芯片(MMIC)，使用 0.25?m 栅长的砷化镓赝配高
电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺制造而成。该芯片通过背面金属经通孔接地。所有芯片产品全部经 100%射频测量。芯片为-5V/5V/5V 电源
工作，TTL 控制方式控制。该芯片可以用于各种收发系统等。芯片发射小信号增益在 16dB 以上，接收小信号增益在 11dB 以上，移相精度
RMS 为 4°左右，衰减精度 RMS 为 0.3dB 左右，发射 1dB 压缩点达到 23dBm 以上。