IRG4PF50WPBF 进口现货供应

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制造商:

Infineon

产品种类:

绝缘栅双极晶体管(IGBT)

RoHS:

 详细信息

技术:

Si

封装 / 箱体:

TO-247-3

安装风格:

Through Hole

配置:

Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:

900 V

集电极—射极饱和电压:

2.25 V

栅极/发射极最大电压:

- 20 V, + 20 V

在25 C的连续集电极电流:

51 A

Pd-功率耗散:

200 W

最小工作温度:

- 55 C

最大工作温度:

+ 150 C

封装:

Tube

商标:

Infineon Technologies

集电极最大连续电流 Ic:

51 A

栅极—射极漏泄电流:

100 nA

高度:

20.7 mm

长度:

15.87 mm

产品类型:

IGBT Transistors

工厂包装数量:

400

子类别:

IGBTs

宽度:

5.31 mm

单位重量:

38 g