IXFH18N100Q3 库存现货供应

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制造商:

IXYS

产品种类:

MOSFET

RoHS:

 详细信息

REACH - SVHC:

详细信息

技术:

Si

安装风格:

Through Hole

封装 / 箱体:

TO-247-3

晶体管极性:

N-Channel

通道数量:

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:

1 kV

Id-连续漏极电流:

18 A

Rds On-漏源导通电阻:

660 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:

- 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压:

3.5 V

Qg-栅极电荷:

90 nC

最小工作温度:

- 55 C

最大工作温度:

+ 150 C

Pd-功率耗散:

830 W

通道模式:

Enhancement

封装:

Tube

商标:

IXYS

配置:

Single

下降时间:

13 ns

正向跨导 - 最小值:

16 S

产品类型:

MOSFETs

上升时间:

33 ns

工厂包装数量:

30

子类别:

Transistors

晶体管类型:

1 N-Channel

典型关闭延迟时间:

40 ns

典型接通延迟时间:

37 ns

单位重量:

6 g